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E0 transition in $$^{7}$$$$^{4}$$Se

$$^{7}$$$$^{4}$$SeのE0遷移

牧島 章泰*; 石井 三彦; 大島 真澄; 足立 実*; 武谷 汎*

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$$^{4}$$$$^{6}$$Tiを155MeV-$$^{3}$$$$^{5}$$Clで照射することによって生成した$$^{7}$$$$^{4}$$Brの崩壊から$$^{7}$$$$^{4}$$SeのE0遷移を研究した。機械的ライフタイム・フィルターを用いることによって853KeVの0$$_{1}$$$$^{+}$$状態から基底状態への内部変換電子線を観測することに成功した。このE0遷移の遷移確率のE2遷移(0$$_{1}$$$$^{+}$$$$rightarrow$$2$$_{1}$$$$^{+}$$)のそれに対する比はX(E0/E2)=0.13$$pm$$0.02であった。この値と既に公表されている0$$_{1}$$$$^{+}$$状態の寿命の値とから E0遷移の強度としてI$$rho$$(E0)1=0.16$$pm$$0.02を得た。この結果をもとに最近の理論的検討を試みる。

no abstracts in English

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