半導体用高純度シリコン中不純物の放射化分析; 照射試料の分解装置

Activation analysis of impurities inhigh purity silicon for a semiconductor; Decomposition equipment for irradiation samples

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近年集積回路などの半導体技術の急速な進歩によって、半導体シリコンの諸物性の向上、安定性が強く要求され、その開発研究の基礎手段として高感度の分析法が望まれている。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	分析機器
巻	:	6
号	:	9
ページ数	:	p.567 - 572
発行年月	:	1968/00
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キーワード	:	半導体用高純度シリコン中不純物; 放射化分析; 照射試料; 分解装置

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登録番号 : A19689169
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 1959

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