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半導体ガンマ線検出器

Semiconductor Gamma-Ray Detectors

阪井 英次

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1962年初めにFreck and Wakefield$$^1$$$$^)$$が1.5mm厚のi領域(intrinsic領域,真性領域)を持つ検出体積0.2cm$$^3$$の小さなG$$_e$$(L$$_i$$)検出器で$$^1$$$$^3$$$$^7$$C$$_s$$$$gamma$$線を半値幅9.5K$$_e$$Vで測定して以来,Tavendale,$$^2$$$$^)$$Ewan$$^3$$$$^)$$らによってその$$gamma$$線検出器としての有用性が確かめられ,つづいてTavendale,$$^4$$$$^)$$Malm$$^5$$$$^)$$らの同軸型検出器の考案および実現により大体積検出器への道が開かれ,現在では検出体積100cm$$^3$$におよぶものまで作られている。他方FET増幅器の出現により雑音幅400$$_e$$Vが実現され,S$$_i$$(L$$_i$$)やG$$_e$$(L$$_i$$)検出器と組み合わせて,X線を半値幅500$$_e$$V,また1,333K$$_e$$V$$gamma$$線を半値幅1.8K$$_e$$Vで測定できるようになり,核物理,化学,工学,農学,医学の各方面において高分解能の威力を発揮している。

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