Angular correlation of annihilation radiation associated with vacancy defects in electron-irradiated 6 SiC

電子線照射した6-SiC中の原子空孔に由来する陽電子消滅線角相関

河裾 厚男; 千葉 利信*; 樋口 高年*

Kawasuso, Atsuo; Chiba, Toshinobu*; Higuchi, Takatoshi*

2MeV電子線照射した6-SiCを1000Cでアニールした後に残留する原子空孔に付随する電子-陽電子運動量分布を陽電子消滅角相関測定により研究した。その結果、上の原子空孔がc軸に沿った不対電子とc軸周りの対称性を持つことが明らかになった。第一原理計算から、得られた電子運動量分布は孤立炭素空孔,孤立シリコン空孔のいずれのモデルでも説明できないが、炭素空孔-炭素アンチサイト対、又はシリコン空孔-窒素不純物対を考慮することで再現できることが明らかになった。

Electron-positron momentum distributions associated with vacancy defects in 6H SiC after irradiation with 2 MeV electrons and annealing at 1000 have been studied using angular correlation of annihilation radiation (ACAR) measurements. It was confirmed that the above vacancy defects have dangling bonds along the c-axis and the rotational symmetry around it. The first principles calculation suggests that the vacancy defects are attributable to either carbon-vacancy-carbon-antisites complexes or silicon-vacancy-nitrogen pairs, while isolated carbon vacancies, silicon vacancies and nearest neighbor divacancies are ruled out.