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河裾 厚男; 吉川 正人; 伊藤 久義; Krause-Rehberg, R.*; Redmann, F.*; 樋口 高年*; 別役 潔*
Physica B; Condensed Matter, 376-377, p.350 - 353, 2006/04
被引用回数:13 パーセンタイル:52.05(Physics, Condensed Matter)電子線照射によって立方晶及び六方晶SiC中に生成する原子空孔を陽電子消滅による電子運動量分布測定と理論的解析を通じて同定した結果について報告する。立方晶SiCでは、孤立シリコン空孔が主たる陽電子捕獲サイトであり、格子緩和の効果で陽電子寿命が増加していること、及び局所的な四面体対称性によりその電子運動量分布が説明できることが明らかになった。一方、六方晶SiCでは孤立シリコン空孔が熱回復した後も残留する新たな空孔型欠陥が、c軸に沿って不対電子を有していること、及び炭素1s内殻電子軌道と陽電子の消滅頻度が増加することから、炭素空孔-アンチサイト炭素複合欠陥であることが明らかになった。
河裾 厚男; 吉川 正人; 伊藤 久義; 千葉 利信*; 樋口 高年*; 別役 潔*; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*
Physical Review B, 72(4), p.045204_1 - 045204_6, 2005/07
被引用回数:16 パーセンタイル:55.78(Materials Science, Multidisciplinary)孤立シリコン空孔が主たる陽電子捕獲中心である電子線照射された3C-SiCに対して、陽電子消滅二次元角相関と同時計数ドップラー拡がり測定が行われた。電子線照射によって、同時計数ドップラー拡がり曲線の変化が見いだされ、これが孤立シリコン空孔を考慮した第一原理計算によって再現できることが明らかになった。電子線照射後、二次元角相関はより等方的になったが、ジョーンズ(第二ブリルアン)領域に広がる異方性は依然残留することがわかった。このことは、これまでの電子スピン共鳴によって提案されていたように孤立シリコン空孔が四面体対象性を持つことを支持している。
河裾 厚男; 千葉 利信*; 樋口 高年*
Physical Review B, 71(19), p.193204_1 - 193204_4, 2005/05
被引用回数:15 パーセンタイル:53.97(Materials Science, Multidisciplinary)2MeV電子線照射した6-SiCを1000Cでアニールした後に残留する原子空孔に付随する電子-陽電子運動量分布を陽電子消滅角相関測定により研究した。その結果、上の原子空孔がc軸に沿った不対電子とc軸周りの対称性を持つことが明らかになった。第一原理計算から、得られた電子運動量分布は孤立炭素空孔,孤立シリコン空孔のいずれのモデルでも説明できないが、炭素空孔-炭素アンチサイト対、又はシリコン空孔-窒素不純物対を考慮することで再現できることが明らかになった。
徳田 伸二; 樋口 高年*; 鈴木 宜之*
プラズマ・核融合学会誌, 77(12), p.1180 - 1220, 2001/12
巨視的な磁場揺動の存在するトカマクにおける電子の相対論的運動を数値的に解析した。相対論的運動が引き起こすストカスティシティは、いわゆる、位相平均効果を上回り、ディスラプション時に逃走電子が発生することを回避・抑制する有効な損失機構となる。一方、いわゆるKAM領域にある電子はRunaway-snakeとして観測される。
徳田 伸二; 樋口 高年*
JAERI-Data/Code 98-032, 36 Pages, 1998/11
トカマクにおける相対論的電子の軌道を追跡するコードETC-Relを開発した。このコードの開発のために、相対論的電子の案内中心運動に対する正準ハミルトン形式を新たに導いた。このとき、案内中心の運動方程式はBoozer座標で記述される。そのため、軌道を実空間(デカルト座標)で可視化するための写像ルーチンも開発した。また、ETC-Relコードを用いてシミュレーションを行い、ディスラプション時の磁場揺動が逃走電子の無衝突損失を引き起こすことを実証した。この予測は、逃走電子発生を回避するプラズマ緊急停止に関して最近行われたJT-60U実験とよく一致する。