Ion beam analysis of precipitation process in immiscible system prepared by ion implantation

イオン注入法によって形成された非固溶物質系における析出過程のイオンビーム解析

Naramoto, Hiroshi; Yamamoto, Shunya; Narumi, Kazumasa

互いに固溶しない物質系は、結晶成長・組織化制御による新しい機能性を付与する観点からも、興味ある対象である。本研究では、イオン注入法により非固溶物質系(過飽和)を作成するとともに、MeVイオンを用いて結晶析出過程を解析して、以下の結論を得た。(1)過飽和な系が、結晶か非結晶かにより、その後の析出過程に大きく影響する。(2)Nb/Cu等の金属系では、低温でも、イオン照射下での欠陥輸送の助けにより、例えばCu原子はNb表面に拡散して、整合形析出物を形成する。(3)Ir中の炭素原子の存在状態は、水素原子の存在によって影響され、高温(数百 $^{circ}C$ )では、Ir中に保持できない。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	JAERI-Review 99-025, TIARA Annual Report 1998
巻	:
号	:
ページ数	:	p.191 - 192
発行年月	:	1999/10
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キーワード	:	Ion Implantation; Immiscible System; Precipitation; Ion Beam Analysis

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論文URL	:	https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Review-99-025.pdf
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登録番号 : A19990385
抄録集掲載番号 : 47000345
論文投稿番号 : 21023

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