炭化ケイ素を用いた高性能半導体素子の開発を目指して

Challenge of the development of high performance SiC semiconductor devices

炭化ケイ素(SiC)半導体素子の開発の現状を素子作製プロセス技術の観点からレビューした。素子作製プロセス技術としては、おもに高温不純物導入によるn型伝導SiCの形成技術及び水素燃焼酸化と酸化後熱処理の組合せによる界面特性向上技術について解説した。さらに、これらの素子作製プロセスを応用することで立方晶(3C)SiCエピタキシャル基板上に作製した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の優れた電気特性、特に、世界最高チャンネル移動度,酸化膜の耐電圧について紹介した。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	放射線と産業
巻	:
号	:	105
ページ数	:	p.12 - 18
発行年月	:	2005/03
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	炭化ケイ素(SiC); 素子作製プロセス; 高温イオン注入; 酸化後熱処理; 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/40006658308
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : A20040697
抄録集掲載番号 : 330437
論文投稿番号 : 21769

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