森林 健悟; Lee, K.*; 香川 貴司*; Kim, D. E.*
Moribayashi, Kengo; Lee, K.*; Kagawa, Takashi*; Kim, D. E.*
多重内殻電離過程を用いた短パルス高強度X線の(1)強度,(2)パルス幅測定法の提案に関して講演を行う。(1)強度測定:高輝度短パルスX線源によるSi原子への照射の原子過程を取り扱った。
電子がすべて電離した中空原子(
)と電子が1つだけ残っている多重内殻励起状態(
)から発生するX線数の比は、照射X線源のパルス幅にほとんど依存せず、その強度のみに依存することがわかった。これにより、多重内殻電離状態から発生するX線が高輝度短パルスX線源の強度測定に利用できる可能性があることを示した。(2)パルス幅測定:2つの短パルスX線を
tの時間間隔だけあけて照射し多重内殻励起からのX線数の計算を行った。多重内殻励起の生成は、多X線吸収、すなわち、X線非線形過程で生じることを用いて2つのX線パルスの重なりによるX線数の違いからパルス幅の測定ができる可能性を探った。この方法は、X線パルス幅よりも十分短い時定数の自動イオン化状態を持つ標的に対して有効であることが明らかとなった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 16 |
号 |
: | 2 |
ページ数 |
: | p.322 - 324 |
発行年月 |
: | 2006/02 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2005/07 |
開催都市 |
: | Seika |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：7.24 分野：Optics |
Altmetrics |
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