Desorption of fragment ions from condensed Si(OCH $_{3}$ ) $_{4}$ by localized inner-shell electron excitation at the silicon, oxygen and carbon K-edges

局在したケイ素、炭素、酸素原子の内殻電子励起によるシリコンアルコキシド凝縮系からのフラグメンとイオンの脱離

SiO $_{2}$ 薄膜生成の原料物質として使われているシリコンアルコキシド(Si(OR) $_{4}$ )について、放射光軟X線を照射した時の光分解挙動を調べた。低温でSi(100)表面に多層吸着したテトラメトキシシラン(Si(OCH $_{3}$ ) $_{4}$ )にSi K-吸収端領域の軟X線を照射した時の脱離イオンは主としてSi(OCH $_{3}$ ) $_{n}^{+}$ (n=2, 3, 4)であった。一方、CK-吸収端及びOK-吸収端領域の軟X線照射を照射した時の脱離種は、ほとんどがCH $_{3}^{+}$ であった。これは内殻励起状態がC及びO原子に局在したまま結合解裂が起きていることを示しており、C-O結合の選択的切断によりSiO $_{2}$ 層が形成できる可能性を示唆する結果が得られた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Vacuum Science and Technology A
巻	:	18
号	:	2
ページ数	:	p.334 - 337
発行年月	:	2000/03
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Silicon Alkoxide; Inner-shell Electron Excitation; Photon-stimulated Ion Desorption

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1116/1.582251
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InCites™	:	パーセンタイル：22.98 分野：Materials Science, Coatings & Films
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登録番号 : A19990412
抄録集掲載番号 : 280301
論文投稿番号 : 17298

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Desorption of fragment ions from condensed Si(OCH) by localized inner-shell electron excitation at the silicon, oxygen and carbon K-edges

局在したケイ素、炭素、酸素原子の内殻電子励起によるシリコンアルコキシド凝縮系からのフラグメンとイオンの脱離

Desorption of fragment ions from condensed Si(OCH $_{3}$ ) $_{4}$ by localized inner-shell electron excitation at the silicon, oxygen and carbon K-edges