Interstitial atom behavior in neutron irradiated beta-silicon nitride.

None

秋吉 優史; 赤坂 尚昭; 舘 義昭  ; 矢野 豊彦*

Akiyoshi, Masafumi; Akasaka, Naoaki; Tachi, Yoshiaki; Yano, Toyohiko*

常陽にて中性子照射したbeta-Si3N4セラミックスを透過型電子顕微鏡により微構造観察を行った。照射温度の違いにより格子間型転位ループの導入状態に差があり、摂氏377度で照射した試料中にはクラスター状の欠陥が主に導入されていたが、摂氏394度で照射した試料中には大きな転位ループが多数確認されたことから、摂氏377度と摂氏394度の間で損傷組織発達形態が変化し、格子間原子の移動および転位ループの形成が始まったと考えられる。この結果は熱拡散率回復挙動とも合致している。

Focusing on the cover layer materials (as the Radon Barrier Materials), which could have the effect to restrain the radon from scattering into the air and the effect of the radiation shielding, we produced the radon barrier materials with crude bentonite on an experimental basis, using the rotary type comprehensive unit for grinding and mixing, through which we carried out the evaluation of the characteristics thereof.