Si基板上に作製した鉄シリサイド薄膜の発光特性の向上について

On the improvement of photoluminescence properties of iron disilicide film fabricated on Si substrate

山口 憲司; Zhuravlev, A.; 志村 憲一郎; 山本 博之; 社本 真一  ; 北條 喜一

Yamaguchi, Kenji; Zhuravlev, A.; Shimura, Kenichiro; Yamamoto, Hiroyuki; Shamoto, Shinichi; Hojo, Kiichi

-FeSiは、地上に豊富に存在する元素から構成され、毒性も低いうえに、光通信で用いられる1.5m帯で発光することから、光配線用の新半導体材料としての期待が大きい。ナノ材料創製研究グループでは、イオンビームスパッタ蒸着法によりSi単結晶基板上に鉄シリサイド薄膜を作製し、その発光特性を重点的に調べている。今回、Ar気流中、大気中と雰囲気を変えて1153Kでアニールを行ったところ、Ar,大気の順に発光強度が増加することが確認できた。さらに、アニール時間を増やすと24時間以上でほぼ強度は飽和値に達することもわかった。Arと大気の違いの一つに酸素(O)分圧の違いが挙げられ、この酸素がシリサイド層あるいはSi基板、もしくはその両方に作用して発光特性に影響していると考えられる。

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