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Study of electron irradiation-induced defects in CuInSe$$_{2}$$ and CuIn$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$Se$$_{2}$$ by electron spin resonance

電子スピン共鳴によるCuInSe$$_{2}$$及びCuIn$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$Se$$_{2}$$中の電子線照射誘起欠陥の研究

岡田 浩*; Lee, H.-S.*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武; 神谷 富裕

Okada, Hiroshi*; Lee, H.-S.*; Wakahara, Akihiro*; Yoshida, Akira*; Oshima, Takeshi; Kamiya, Tomihiro

次世代の宇宙用の高効率薄膜太陽電池材料として期待されるCuInSe$$_{2}$$及びCuIn$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$Se$$_{2}$$半導体中に電子線照射により発生する欠陥を電子スピン共鳴(ESR)を用いて調べた。試料は粉末原料を真空中で1080$$^{circ}$$Cに加熱することで作製した多結晶を用い、2MeV電子線を室温にて1$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$照射した。3.3KでのESR測定(Xバンドマイクロ波使用)の結果、照射,未照射試料ともに1580Gと3230G付近にシグナルを観測したが、1580G付近のシグナルに関しては、結晶中に含まれる鉄(Fe)不純物に由来するものであり、照射前後でシグナルの変化はなかった。一方、3230G付近のシグナルは照射により強度が増大すること及び低磁場側に裾を引く形状に変化することがわかった。Cu空孔の形成エネルギーが他の空孔に比べ低いという理論計算の結果に基づき、Cu$$^{2+}$$を含むESRシグナルをEasySpinプログラムを用いて計算した。その結果、実験とシミュレーション結果がよく一致することが見いだされ、電子線照射により形成されたCu空孔関連の欠陥に起因するシグナルであることが示唆された。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Solar Energy Materials and Solar Cells

巻

 :

90

号

 :

1

ページ数

 :

p.93 - 99

発行年月

 :

2006/01

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2005.03.005

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

電子加速器

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：20.61

分野：Energy & Fuels

Altmetrics

 :

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