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Element-specific surface X-ray diffraction study of GaAs(001)-$$c(4times4)$$

GaAs(001)-$$c(4times4)$$の元素識別表面X線回折法による研究

高橋 正光; 水木 純一郎

Takahashi, Masamitsu; Mizuki, Junichiro

GaAs(001)-c(4$$times$$4)のその場解析を三次元構造と元素の違いに敏感な放射光表面X線回折を用いて行った。98個の独立な面内の反射と11本の分数次ロッドの測定に基づいて、原子座標と温度因子を決定した。X線解析の結果は、傾斜した表面ダイマーと表面第6層目まで及ぶひずみ場の存在を示した。表面ダイマーの原子種を特定するため、異常分散を用いた。その結果、Ga-Asからなるダイマーが形成していることが証明された。

In situ structure analysis of GaAs(001)-c(4$$times$$4) has been carried out by synchrotron surface X-ray diffraction, which is sensitive to the three-dimensional structure and the atomic species. On the basis of 98 independent in-plane diffractionsand 11 fractional-order rod profiles, the atomic coordinates and thermal vibration parameters were determined. X-ray diffraction results show the buckling of surface dimers and a strain field extending up to the sixth layer from the surface. An anomalous diffraction technique has been employed to specify the atomic species of the surface dimers. It has provided direct evidence of the formation of Ga-As heterodimers.

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パーセンタイル:69.27

分野:Physics, Multidisciplinary

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