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國分 祐司; 中田 陽; 瀬谷 夏美; 小池 優子; 根本 正史; 飛田 慶司; 山田 椋平*; 内山 怜; 山下 大智; 永井 信嗣; et al.
JAEA-Review 2023-046, 164 Pages, 2024/03
JAEA-Review-2023-046.pdf:4.2MB
核燃料サイクル工学研究所では、「日本原子力研究開発機構核燃料サイクル工学研究所再処理施設保安規定、第IV編環境監視」に基づき、再処理施設周辺の環境放射線モニタリングを実施している。本報告書は、2022年4月から2023年3月までの間に実施した環境放射線モニタリングの結果及び大気、海洋への放射性物質の放出に起因する周辺公衆の線量算出結果について、取りまとめたものである。なお、上記の環境放射線モニタリングの結果において、2011年3月に発生した東京電力株式会社(2016年4月1日付けで東京電力ホールディングス株式会社に変更)福島第一原子力発電所事故で放出された放射性物質の影響が多くの項目で見られた。また、環境監視計画の概要、測定方法の概要、測定結果及びその経時変化、気象統計結果、放射性廃棄物の放出状況、平常の変動幅の範囲を外れた値の評価について付録として収録した。
大橋 裕介; 島池 政満; 松本 孝志; 高橋 信雄; 横山 薫; 森本 靖之
Nuclear Technology, 209(5), p.777 - 786, 2023/05
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Nuclear Science & Technology)人形峠環境技術センターでは、ウラン製錬転換・濃縮に係る技術開発を完了し、施設の廃止措置に着手している。製錬転換施設と濃縮工学施設について、施設の設計図面から推定した解体物量と実際の解体物量との誤差は平均するとわずかであり、廃止措置に係る解体物量の事前予測は妥当であることが分かった。また、汚染履歴がなく適切に管理されている解体物の多くは放射性廃棄物でない廃棄物(NR)として搬出することができた。また、模擬廃棄物を用いたガンマ線測定試験により、解体物中のクリアランスレベルのウラン濃度を評価できる可能性を確認した。
中田 陽; 金井 克太; 瀬谷 夏美; 西村 周作; 二川 和郎; 根本 正史; 飛田 慶司; 山田 椋平*; 内山 怜; 山下 大智; et al.
JAEA-Review 2022-078, 164 Pages, 2023/03
JAEA-Review-2022-078.pdf:2.64MB
核燃料サイクル工学研究所では、「日本原子力研究開発機構核燃料サイクル工学研究所再処理施設保安規定、第IV編環境監視」に基づき、再処理施設周辺の環境放射線モニタリングを実施している。本報告書は、2021年4月から2022年3月までの間に実施した環境放射線モニタリングの結果、及び大気、海洋への放射性物質の放出に起因する周辺公衆の線量算出結果について、取りまとめたものである。なお、上記の環境放射線モニタリングの結果において、2011年3月に発生した東京電力株式会社(2016年4月1日付けで東京電力ホールディングス株式会社に変更)福島第一原子力発電所事故で放出された放射性物質の影響が多くの項目でみられた。また、環境監視計画の概要、測定方法の概要、測定結果及びその経時変化、気象統計結果、放射性廃棄物の放出状況、平常の変動幅の上限値を超過した値の評価について付録として収録した。
中田 陽; 中野 政尚; 金井 克太; 瀬谷 夏美; 西村 周作; 根本 正史; 飛田 慶司; 二川 和郎; 山田 椋平; 内山 怜; et al.
JAEA-Review 2021-062, 163 Pages, 2022/02
JAEA-Review-2021-062.pdf:2.87MB
核燃料サイクル工学研究所では、「日本原子力研究開発機構核燃料サイクル工学研究所再処理施設保安規定、第IV 編環境監視」に基づき、再処理施設周辺の環境放射線モニタリングを実施している。本報告書は、2020年4月から2021年3月までの間に実施した環境放射線モニタリングの結果、及び大気、海洋への放射性物質の放出に起因する周辺公衆の線量算出結果について、取りまとめたものである。なお、上記の環境放射線モニタリングの結果において、2011年3月に発生した東京電力株式会社(2016年4月1日付けで東京電力ホールディングス株式会社に変更)福島第一原子力発電所事故で放出された放射性物質の影響が多くの項目でみられた。また、環境監視計画の概要、測定方法の概要、測定結果及びその経時変化、気象統計結果、放射性廃棄物の放出状況、平常の変動幅の上限値を超過した値の評価について付録として収録した。
中野 政尚; 藤井 朋子; 根本 正史; 飛田 慶司; 瀬谷 夏美; 西村 周作; 細見 健二; 永岡 美佳; 横山 裕也; 松原 菜摘; et al.
JAEA-Review 2020-069, 163 Pages, 2021/02
JAEA-Review-2020-069.pdf:4.78MB
核燃料サイクル工学研究所では、「日本原子力研究開発機構核燃料サイクル工学研究所再処理施設保安規定、第IV編 環境監視」に基づき、再処理施設周辺の環境放射線モニタリングを実施している。本報告書は、2019年4月から2020年3月までの間に実施した環境放射線モニタリングの結果、及び大気、海洋への放射性物質の放出に起因する周辺公衆の線量算出結果について、取りまとめたものである。なお、上記の環境放射線モニタリングの結果において、2011年3月に発生した東京電力(2016年4月1日付けで東京電力ホールディングスに変更)福島第一原子力発電所事故で放出された放射性物質の影響が多くの項目でみられた。また、環境監視計画の概要、測定方法の概要、測定結果及びその経時変化、気象統計結果、放射性廃棄物の放出状況、平常の変動幅の上限値を超過した値の評価について付録として収録した。
高橋 正光; 神津 美和*; 佐々木 拓生
Japanese Journal of Applied Physics, 55(4S), p.04EJ04_1 - 04EJ04_4, 2016/04
被引用回数：5 パーセンタイル：23.64(Physics, Applied)The polytypism of GaAs nanowires was investigated by in situ X-ray diffraction using a molecular-beam eppitaxy chamber combined with an X-ray diffractometer. The growth of nanowries was found to start with the formation of zincblende structure, followed by the growth of the wurtzite structure. The wurtzite structure tended to form at a low growth temperature and a high growth rate.
鈴木 秀俊*; 仲田 侑加*; 高橋 正光; 池田 和磨*; 大下 祥雄*; 諸原 理*; 外賀 寛崇*; 森安 嘉貴*
AIP Advances (Internet), 6(3), p.035303_1 - 035303_6, 2016/03
被引用回数：4 パーセンタイル：19.01(Nanoscience & Nanotechnology)The formation and evolution of rotational twin (TW) domains introduced by a stacking fault during molecular-beam epitaxial growth of GaAs on Si (111) substrates were studied by in situ X-ray diffraction. To modify the volume ratio of TW to total GaAs domains, GaAs was deposited under high and low group V/group III (V/III) flux ratios. For low V/III, there was less nucleation of TW than normal growth (NG) domains, although the NG and TW growth rates were similar. For high V/III, the NG and TW growth rates varied until a few GaAs monolayers were deposited; the mean TW domain size was smaller for all film thicknesses.
synchrotron X-ray diffraction佐々木 拓生; 石川 史太郎*; 高橋 正光
Applied Physics Letters, 108(1), p.012102_1 - 012102_5, 2016/01
被引用回数：4 パーセンタイル：19.01(Physics, Applied)We report an anomalous lattice deformation of GaN layers grown on SiC(0001) by molecular beam epitaxy. The evolution of the lattice parameters during the growth of the GaN layers was measured by in situ synchrotron X-ray diffraction. The lattice parameters in the directions parallel and normal to the surface showed significant deviation from the elastic strains expected for lattice-mismatched films on substrates up to a thickness of 10 nm. The observed lattice deformation was well explained by the incorporation of hydrostatic strains due to point defects. The results indicate that the control of point defects in the initial stage of growth is important for fabricating GaN-based optoelectronic devices.
X-ray diffraction下村 憲一*; 鈴木 秀俊*; 佐々木 拓生; 高橋 正光; 大下 祥雄*; 神谷 格*
Journal of Applied Physics, 118(18), p.185303_1 - 185303_7, 2015/11
被引用回数：9 パーセンタイル：36.75(Physics, Applied)Direct measurements on the growth of InAs quantum dots (QDs) and various cap layers during molecular beam epitaxy are performed by X-ray diffraction (XRD). The evolution of strain induced both in the QDs and cap layers during capping is discussed based on the XRD intensity transients obtained at various lattice constants. Transients with different features are observed from those obtained during InGaAs and GaAs capping, attributed to In-Ga intermixing between the QDs and the cap layer. Photoluminescence wavelength can be tuned by controlling the intermixing and the cap layer thickness. It is demonstrated that such information about strain is useful for designing and preparing novel device structures.
高橋 正光; 神津 美和*; 佐々木 拓生; Hu, W.*
Crystal Growth & Design, 15(10), p.4979 - 4985, 2015/10
被引用回数：14 パーセンタイル：70.13(Chemistry, Multidisciplinary)The evolution of polytypism during GaAs nanowire growth was investigated by in situ X-ray diffraction. The growth of nanowires was found to start with the formation of zincblende structure, followed by the growth of wurtzite structure. The growth process was well reproduced by a simulation based on a layer-by-layer nucleation mode. The good agreement between the measured and simulated results confirms that nucleation costs higher energy for the stackings changing the crystal structure than for those conserving the preceding structure. The transition in prevalent structure can be accounted for by the change of local growth conditions related to the shape of triple phase line rather than by the change in supersaturation level, which quickly reaches equilibrium after starting growth.
高橋 正光
日本結晶成長学会誌, 42(3), p.201 - 209, 2015/10
An experimental approach to crystal growth dynamics using synchrotron X-ray diffraction is discussed. In the study of crystal growth, analysis of imperfect crystals lacking three-dimensional periodicity is inevitably required. Though diffuse scattering generated by such imperfect crystals is much weaker than the bulk Bragg diffraction, recent development of the synchrotron light source has enabled the in situ measurement of it during crystal growth. In this article, studies on surface structures, evolution of defects in growing films and the growth of nanostructures under molecular-beam epitaxy conditions are presented as well as a brief overview of the instrumentation.
佐々木 拓生; 高橋 正光
日本結晶成長学会誌, 42(3), p.210 - 217, 2015/10
Dislocation-mediated strain relaxation during lattice-mismatched InGaAs/GaAs(001) heteroepitaxy was studied through in situ X-ray reciprocal space mapping ( RSM). At the synchrotron facility SPring-8, a hybrid system of molecular beam epitaxy and X-ray diffractometry with a two-dimensional detector enabled us to perform RSM at high-speed and high-resolution. Using this experimental setup, the strain relaxation processes were classified into four thickness ranges with different dislocation behavior. In order to discuss this observation quantitatively, a strain relaxation model was proposed based on the Dodson-Tsao's kinetic model, and its validity was demonstrated by good agreement with the experimental residual strain. In addition to the single InGaAs layer, strain relaxation processes in multi-layer structures are discussed.
three-dimensional X-ray reciprocal-space mapping of InGaAs multilayer structures grown on GaAs(001) by MBE佐々木 拓生; 高橋 正光; 鈴木 秀俊*; 大下 祥雄*; 山口 真史*
Journal of Crystal Growth, 425, p.13 - 15, 2015/09
被引用回数：4 パーセンタイル：35.32(Crystallography) three-dimensional X-ray reciprocal space mapping (
3D-RSM) was employed for studying molecular beam epitaxial (MBE) growth of InGaAs multilayer structures on GaAs(001). Measuring the symmetric 004 diffraction allowed us to separately obtain film properties of individual layers and to track the real-time evolution of both residual strain and lattice tilting. In two- layer growth of InGaAs, significant plastic relaxation was observed during the upper layer growth, and its critical thickness was experimentally determined. At the same thickness, it was found that the direction of lattice tilting drastically changed. We discuss these features based on the Dunstan model and confirm that strain relaxation in the multilayer structure is induced by two kinds of dislocation motion (dislocation multiplication and the generation of dislocation half-loops).
Co
O
filmHu, W.*; 林 好一*; 福村 知昭*; 赤木 和人*; 塚田 捷*; 八方 直久*; 細川 伸也*; 大和田 謙二; 高橋 正光; 鈴木 基寛*; et al.
Applied Physics Letters, 106(22), p.222403_1 - 222403_5, 2015/06
被引用回数：41 パーセンタイル：81.46(Physics, Applied)The local atomic structures around Co in high temperature diluted ferromagnetic semiconductor Co-doped TiO has been investigated using X-ray fluorescence holography and X-ray absorption fine structure experiments. While the Co atoms in the Ti
Co
O simply substituted for Ti sites in the rutile structure, a suboxidic arrangement of CoOTi
was found to form around Co in the TiCoO films. First-principles calculations supported the stability of the aggregated suboxidic clusters in the rutile TiO. The suboxidic coordination may be the source of strong exchange interaction, resulting in the high Curie temperature in Co-dopedTiO.
Biermanns, A.*; Dimakis, E.*; Davydok, A.*; 佐々木 拓生; Geelhaar, L.*; 高橋 正光; Pietsch, U.*
Nano Letters, 14(12), p.6878 - 6883, 2014/12
被引用回数：27 パーセンタイル：71.42(Chemistry, Multidisciplinary)The dynamic relation between the growth conditions and the structural composition of the catalyst-free InAs nanowires was investigated using time-resolved X-ray scattering and diffraction measurements during the growth by molecular beam epitaxy. A spontaneous build-up of liquid indium is directly observed in the beginning of the growth process and associated with the simultaneous nucleation of InAs nanowires predominantly in the wurtzite phase. After their nucleation, the nanowires grow in the absence of liquid indium, and with a highly defective wurtzite structure. A pathway to pure wurtzite nanowires is presented through this work.
Kim, J.*; Sinha, J.*; 三谷 誠司*; 林 将光*; 高橋 三郎*; 前川 禎通; 山ノ内 路彦*; 大野 英男*
Physical Review B, 89(17), p.174424_1 - 174424_8, 2014/05
被引用回数：95 パーセンタイル：93.98(Materials Science, Multidisciplinary)磁気トンネル接合素子に用いられるCoFeB/Mgoヘテロ構造膜の下地に用いられるTa膜の影響を調べた。Ta下地膜は電流による磁化反転に大きな効果を持っていることがわかった。この結果はスピン拡散モデルで解析された。
Nb
)O
Hu, W.*; 林 好一*; 大和田 謙二; Chen, J.*; 八方 直久*; 細川 伸也*; 高橋 正光; Bokov, A.*; Ye, Z.-G*
Physical Review B, 89(14), p.140103_1 - 140103_5, 2014/04
被引用回数：48 パーセンタイル：85.22(Materials Science, Multidisciplinary)The local structures around Nb and Pb in the relaxor ferroelectric Pb(MgNb)O were investigated by X-ray fluorescence holography. The Pb atomic images around Nb showed a rhombohedral distortion of the crystal unit cells. The Pb-Pb correlated images showed a local structure of body-center-like 
superlattice, proving a rigid three-dimensional network structural model combining the two kinds of rhombohedrons. This superstructure and the fluctuating Pb and Nb atoms play an important role in the relaxor behavior of this material.
Cモニタリング; 捕集及び酸化方法の比較評価上野 有美; 小嵐 淳; 岩井 保則; 佐藤 淳也; 高橋 照彦; 澤畠 勝紀; 関田 勉; 小林 誠; 角田 昌彦; 菊地 正光
保健物理, 49(1), p.39 - 44, 2014/03
原子力科学研究所第4研究棟(RI施設)では、排気中のCを1か月間連続で捕集し、施設から大気中へ放出されるCのモニタリングを行っている。しかし、CuO触媒を600
C以上に加熱する必要があることやモノエタノールアミン(MEA)が毒劇物に指定されていることから、管理区域内でのモニタリング手法として改良の余地が残っている。本試験では、異なる捕集剤を用いた捕集法の比較、使用する捕集剤の量とCO
捕集効率の関係についての検討、異なる酸化触媒の異なる温度条件下における酸化性能の比較を行った。CO捕集剤の検討では、MEAに加えて、Carbo-Sorb Eを評価の対象とした。酸化触媒の検討では、CuO触媒に加えて、Ptアルミナ触媒、Pd/ZrO触媒を評価の対象とした。試験の結果、Carbo-Sorb Eはガスの通気による気化量が大きく、1か月の連続捕集には適さず、MEAは1か月間を通して安定したCO捕集能力があることが確認できた。各触媒の酸化効率を比較した結果、Pd/ZrO触媒のCH
に対する酸化性能が最も優れており、加熱炉の温度を200C以上下げることができ、モニタリングの安全性を向上できる。
佐々木 拓生; Norman, A. G.*; Romero, M. J.*; Al-Jassim, M. M.*; 高橋 正光; 小島 信晃*; 大下 祥雄*; 山口 真史*
Physica Status Solidi (C), 10(11), p.1640 - 1643, 2013/11
被引用回数：4 パーセンタイル：82.88(Physics, Applied)Defect characterization in compositionally step graded In
Ga
As layers with different thickness of the overshooting (OS) layer was performed using cathodoluminescence (CL) and transmission electron microscopy (TEM). We found that the type and in-plane distribution of defects generated in the top InGaAs layer grown on step graded layers strongly depend on the thickness of the OS layer. In the thin OS layer, a high density of threading dislocations aligned along [110] was observed. In the thick OS layer, significant line defects associating composition variation were dominantly present. These features on defect type and distribution would relate to strain and configuration of the OS layer.
西 俊明*; 佐々木 拓生; 池田 和磨*; 鈴木 秀俊*; 高橋 正光; 下村 憲一*; 小島 信晃*; 大下 祥雄*; 山口 真史*
AIP Conference Proceedings 1556, p.14 - 17, 2013/09
被引用回数：0 パーセンタイル：0.00(Energy & Fuels) X-ray reciprocal space mapping during InGaAs/GaAs(001) MBE growth is performed to investigate effects of substrate misorientations on crystallographic tilting. It was found that evolution of the crystallographic tilt for the InGaAs films is strongly dependent on both layer structures and substrate misorientations. We discuss these observations in terms of an asymmetric distribution of dislocations.
