In monitoring of internal strain and height of InAs nanoislands grown on GaAs(001)

GaAs(001)上に成長したInAsナノ島の内部ひずみと高さのその場モニター

高橋 正光; 海津 利行; 水木 純一郎

Takahashi, Masamitsu; Kaizu, Toshiyuki; Mizuki, Junichiro

InAs/GaAs(001)ナノ結晶の分子線エピタキシャル成長をモニターする手法を開発した。シンクロトロン放射光の利用により、逆格子空間内でのX線強度マッピングが成長中に測定できた。Stranski-Krastanov成長したナノ結晶の内部のひずみ分布・高さが時間分解能9.6秒で追跡できた。ナノ結晶内部のひずみ緩和の過程は、成長温度に大きく依存することを示す。

A monitoring technique for molecular beam epitaxial growth of InAs/GaAs(001) nanoislands is presented. With the help of synchrotron radiation, X-ray diffraction intensity mapping in reciprocal space has been measured during growth. The internal strain distribution and height of the Stranski-Krastanov islands were monitored at a temporal resolution of 9.6 s. The relaxation process of internal strain inside the Stranski-Krastanov islands displayed significant dependence on the growth temperature.