InAs量子ドット組成・ひずみのその場X線回折分析

Temporal evolution of strain and composition of InAs quantum dots during MBE growth

GaAs(001)基板上のInAs量子ドットの成長機構に、量子ドット内部のひずみが主要な役割を果たしていることは広く認識されている。ひずみを議論するさいには、格子定数ばかりでなく、ドットと基板との間の合金形成を反映した組成の分布も考慮に入れる必要がある。近年、半導体ナノ構造に対するX線分析の手法に大きな進歩があり、量子ドット内部の格子定数と組成の分布の両方を決定することができるようになってきた。われわれは、量子ドット成長中のその場・リアルタイムX線測定を実現するために、放射光施設SPring-8のBL11XUにおいて、X線回折計とMBE成長槽とを一体化した装置を用いた研究を進めている。この装置とX線CCD検出器を組合せることで、半導体ナノドットの成長過程を10秒以下の時間分解能でX線測定する方法を開発した。本講演では、この手法をInAsの連続的な成長過程及びAs雰囲気中でのアニール過程とに適用した測定結果に基づいて、量子ドット内部のひずみ・組成と成長機構との関係について議論する。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
開催年月	:	2006/08
開催都市	:	草津
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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登録番号 : BB20061464
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