高輝度NEA-AlGaAsフォトカソード電子源の開発

High-brightness electron source using NEA-AlGaAs photocathode

西谷 智博; 田渕 雅夫*; 則竹 陽介*; 林谷 春彦*; 羽島 良一; 飯島 北斗; 永井 良治; 沢村 勝; 菊澤 信宏 ; 西森 信行; 峰原 英介; 竹田 美和*

Nishitani, Tomohiro; Tabuchi, Masao*; Noritake, Yosuke*; Hayashitani, Haruhiko*; Hajima, Ryoichi; Iijima, Hokuto; Nagai, Ryoji; Sawamura, Masaru; Kikuzawa, Nobuhiro; Nishimori, Nobuyuki; Minehara, Eisuke; Takeda, Yoshikazu*

電子源の高輝度性能化は、次世代放射光源であるERL放射光源の実現のみならず、生体分子の観察や3次元構造解析可能な電子顕微鏡の実現の鍵となる不可欠な技術要素である。特にERL放射光源を実現するにあたって、電子源には、エネルギー幅が極めて小さく、大電流の高輝度性能が要求されている。このような電子源として、バルク状GaAsフォトカソードが、負電子親和力の表面を持つ利点から要求性能を満たす電子源として期待されている。しかし、従来技術であるバルク状GaAsフォトカソードは、量子効率が5%程度と小さく、大電流引き出しの際に励起レーザーの高出力問題を抱えている。そこでわれわれは、従来のバルク状GaAsフォトカソードを遥かに越える量子効率で、室温レベルの極小のエネルギー幅の電子ビームを実現する新型GaAsフォトカソードの開発に着手した。

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