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Preparation and microstructural observation of SiC and SiC-SiO$$_{2}$$ coaxial nanotubes

SiC及びSiC-SiO$$_{2}$$ナノチューブの作製とその微細組織観察

田口 富嗣; 井川 直樹   ; 山本 博之; 社本 真一  

Taguchi, Tomitsugu; Igawa, Naoki; Yamamoto, Hiroyuki; Shamoto, Shinichi

カーボンナノチューブの発見以降、さまざまなセラミックスナノチューブの開発が試みられている。その中でも、SiCは重要な半導体材料であることから、電子デバイスとしての応用が期待されている。しかしながら、SiCナノチューブの合成に関する報告は、非常に少ない。そこで本研究では、カーボンナノチューブをテンプレート材料としたSiCナノチューブの合成方法の最適化を行うことを目的とする。さらに、電子デバイスとしての応用に際し、SiCナノチューブ表面を絶縁層で被覆することが重要となる。そこで、SiO$$_{2}$$被覆SiCナノチューブの合成も試みる。その結果、熱処理温度が1400$$^{circ}$$Cでは、直径約100nmのSiC粒子が連なったSiCナノロッドが生成した。熱処理温度が1200$$^{circ}$$Cにおいて、保持時間が短い場合C-SiCナノチューブとなったが、100時間以上の熱処理により単相のSiCナノチューブの合成に成功した。さらに、これらSiCナノチューブを低真空度で熱処理を行うことにより、表面にSiO$$_{2}$$が被覆されたSiCナノチューブの合成に成功した。低真空度熱処理の処理時間を増加させることにより、SiO$$_{2}$$ナノチューブの合成にも成功した。

no abstracts in English

使用言語

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English

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

16th International Microscopy Congress (IMC 2006)

開催年月

 :

2006/09

開催都市

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Sapporo

開催国

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Japan

キーワード

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no keyword

特許データ

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