Tunneling magnetotransport in hybrid system of cobalt and C

コバルト-Cハイブリッドシステムにおけるトンネル磁気伝導

境 誠司; 菅井 勇; 薬師寺 啓*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅*; 楢本 洋; Avramov, P.; 鳴海 一雅; 前田 佳均

Sakai, Seiji; Sugai, Isamu; Yakushiji, Kei*; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki*; Naramoto, Hiroshi; Avramov, P.; Narumi, Kazumasa; Maeda, Yoshihito

最近、同時蒸着及び交互蒸着法によりCo-C化合物中にCoナノ粒子が分散したナノグラニュラー薄膜が得られることを見いだした。これまでに、交互蒸着法で作成したナノグラニュラー薄膜が印加バイアスに強く依存する巨大なトンネル磁気抵抗(TMR)効果を示すことを明らかにした。本研究では、同時蒸着法で作成したCo-Cナノグラニュラー薄膜の磁気伝導性の評価を行ったので報告する。同時蒸着Co-C膜も、交互蒸着薄膜と類似のTMR効果を生じることが明らかになった。磁気抵抗は、印加電圧に強い依存性を示し高バイアス領域で約50%(10K以下)に達した。交互蒸着薄膜で明確でなかった新しい知見として、低バイアス領域においても磁気抵抗のバイアス依存性が観測され、特にバイアス電圧が低い領域でも磁気抵抗が増大することがわかった。講演では、ラマン分光などの測定結果を踏まえて、作成法に依存する微視的構造とTMR特性の関連を議論する。

We have revealed that the Co/Co-C films prepared by alt-deposition show the tunnel MR of a few 10% under low bias voltage and the further enhancement to above 80% by the voltage increase at lower temperature than 10 K. In the present study, the magnetotransport properties in the co-deposited Co/Co-C films are reported. The co-deposited film shows the remarkable tunnel MR effect (10-50%) whose ratio is significantly influenced by the applied voltage. Such a significant MR enhancement by the bias-voltage is found to take place commonly in the Co/Co-C films irrespective of the deposition method, and that is in contrast to the small extent of changes in the conventional metal/insulator systems. In the presentation, the comparative results for the co-deposited and alt-deposited Co/Co-C films are also reported in comparison with the analyzed structures by Raman spectroscopy et al..