高輝度性能を持つAlGaAsフォトカソードの開発

NEA-AlGaAs photocathode with high brightness performance

西谷 智博; 羽島 良一; 竹田 美和*; 田渕 雅夫*; 則竹 陽介*

Nishitani, Tomohiro; Hajima, Ryoichi; Takeda, Yoshikazu*; Tabuchi, Masao*; Noritake, Yosuke*

電子源の高輝度性能化は、次世代放射光源実現の鍵となる不可欠な技術要素である。現在、電子源には、エネルギー幅が極めて小さく、大電流の高輝度性能が要求されている。このような電子源として、バルク状GaAsフォトカソードは、負電子親和力の表面を持つ利点から要求性能を満たす有力電子源候補である。しかし、従来技術であるバルク状GaAsフォトカソードは、表面寿命問題に加え、量子効率が3,4%程度と小さく、大電流引き出しの際に励起レーザーの高出力問題を抱えている。そこでわれわれは、従来のバルク状GaAsフォトカソードを遥かに越える量子効率で、室温レベルの極小のエネルギー幅の電子ビームを実現する新型AlGaAsフォトカソードを開発し、従来技術を越える高い量子効率性能と長寿命性能を同時に達成した。

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