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半導体鉄シリサイド$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜に及ぼすイオン照射効果

Radiation effects for film formation and nano-structural changes of iron disilicide thin films

笹瀬 雅人*; 山本 博之; 岡安 悟  ; 山口 憲司; 社本 真一  ; 北條 喜一

Sasase, Masato*; Yamamoto, Hiroyuki; Okayasu, Satoru; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi; Hojo, Kiichi

本研究では、半導体鉄シリサイド薄膜の創製及び物性改質におけるイオン照射効果について、透過型電子顕微鏡による観察を中心に検討した。イオン照射により、(1)結晶性良好なシリサイド半導体の成膜が可能になった、(2)膜内にナノ領域の改質相を導入した結果を報告する。基板を1keV Ne$$^{+}$$, 3$$times$$10$$^{20}$$ions/m$$^{2}$$にてスパッタ処理を行った後、イオンビームスパッタ蒸着法により$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜を作製した結果、Si(100)基板上にエピタキシャル成長した薄膜を得た。スパッタ処理条件の最適化により、結晶性及び表面構造を大きく損なわない程度の欠陥が基板に導入され、鉄とシリコンの円滑な相互拡散を促した結果、結晶性の良好な薄膜成長が可能となった。さらにこの薄膜に対し高エネルギー重イオン(320MeV Au$$^{24+}$$)を照射した結果、膜内に平均直径6nmの円柱状欠陥が生成した。この結果は半導体相中に導電相の形成が実現し得ることを示している。以上の結果から、イオン照射により生じる欠陥が、鉄シリサイド薄膜の創製や改質に有効に働き得ることを明らかにした。

Radiation effects for film formation and nano-structural changes of iron disilicide thin films have been studied.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2007/03

開催都市

 :

相模原

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

タンデム加速器  

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

若狭湾エネルギー研究センター

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