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MBE成長用$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶基板の高温前処理

Thermal preannealing of single crystalline $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ substrate for MBE

大内 真二*; 室賀 政崇*; 鵜殿 治彦*; 山田 洋一; 山本 博之; 菊間 勲*

Ouchi, Shinji*; Muroga, Masataka*; Udono, Haruhiko*; Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Kikuma, Isao*

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$のPLの発光起源は未だ不明確であり、その要因の一つにSi基板からの発光スペクトルとの切り分けが困難な点がある。$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶を基板とし、ホモエピタキシャル成長させればこの点が明確となる。このため$$beta$$-FeSi$$_{2}$$基板表面の清浄化について検討した。$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(101)基板のエッチング直後、及び真空中で950$$^{circ}$$C, 95分間熱処理後のRHEED像から、エッチング直後の試料においても自然酸化膜が形成され、RHEEDの強度は弱い。一方、真空中熱処理によりストリークは明瞭となり菊池線が観測された。さらに大気中に放置し自然酸化膜をつけた基板について950$$^{circ}$$Cでの熱処理時間とRHEED強度変化の関係を検討した。この結果、放置時間が長い程RHEED強度が増加するまでの時間は長くなるが、90時間大気中に放置した基板においても長時間の熱処理によって清浄表面のRHEEDパターンが得られた。これらの結果から成膜前の基板を超高真空中にて950$$^{circ}$$Cで熱処理することによって自然酸化膜を除去できることを明らかにした。

Thermal preannealing of single crystalline $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ substrate for MBE has been investigated to obtain better substrate for homo-epitaxial growth of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ film.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

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発表会議名

 :

2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2007/03

開催都市

 :

相模原

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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