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$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶基板のRHEED観察

RHEED observation of surface on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ single crystals

若谷 一平*; 室賀 政崇*; 大内 真二*; 鵜殿 治彦*; 山田 洋一; 山本 博之; 菊間 勲*

Wakaya, Ippei*; Muroga, Masataka*; Ouchi, Shinji*; Udono, Haruhiko*; Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Kikuma, Isao*

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$ホモエピタキシーのためには基板表面の状態を知る必要がある。しかし$$beta$$-FeSi$$_{2}$$バルク単結晶の表面構造に関する報告は少ない。本研究では、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶の幾つかの低指数面についてRHEEDによる表面観察を行った。作製した単結晶を成長ファセット面に平行に研磨し、X線回折によって方位を特定することで$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(100),(101),(110),(111),(311)基板を準備した。これを10$$^{-9}$$Torr台の高真空中で950$$^{circ}$$Cの高温処理を行った。その後基板温度を100$$^{circ}$$C以下に下げ、RHEED像を観察した。(110)面に電子線を[001]方向から入射した時のRHEED像を観察した結果、明瞭なストリークパターンが得られ、その格子間隔は約6.14$AA $であった。また、複数の入射方位に対して対称性の良いストリークパターンが見られた。360$$^{circ}$$に渡る観察結果から、入射方位と格子間隔の関係はバルク$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(110)面の格子配置と同じ周期性で説明できることがわかった。

RHEED observation of surface has been performed on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ single crystals.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

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発表会議名

 :

2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2007/03

開催都市

 :

相模原

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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広報プレスリリース

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