ナノグラニュラーCo/C60-Co薄膜のトンネル磁気抵抗効果

Tunnel magnetoresistance effect in nano-granular Co/C60-Co films

境 誠司; 菅井 勇*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅*; 楢本 洋*; Avramov, P.; 岡安 悟  ; 鳴海 一雅; 前田 佳均

Sakai, Seiji; Sugai, Isamu*; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki*; Naramoto, Hiroshi*; Avramov, P.; Okayasu, Satoru; Narumi, Kazumasa; Maeda, Yoshihito

塚越らの先駆的研究以来、新しいスピン輸送材料として有機分子と遷移金属のハイブリッド材料が注目されている。昨年、われわれは交互蒸着法で作成したナノグラニュラーCo/C60-Co薄膜が最大80%のトンネル磁気抵抗を示すことを見いだした。本報では、Coナノ粒子の分布が均質的な同時蒸着法で作成したナノグラニュラーCo/C60-Co薄膜の磁気抵抗効果について報告する。同薄膜の磁気抵抗効果について、印加電圧に依存して磁気抵抗が大きく増減することが見いだされ、低/高電圧側での値はそれぞれ50%以上/80%に達した。本現象は単純なスピン分極率の効果では説明できず、C60-Co化合物領域に起因する増長メカニズムの関与が推察される。

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