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Radiation processes of impurities in detached divertor plasmas of JT-60U

JT-60Uの非接触ダイバータプラズマにおける不純物の放射過程

仲野 友英; 朝倉 伸幸; 清水 勝宏; 木島 滋; 藤本 加代子; 川島 寿人; 東島 智

Nakano, Tomohide; Asakura, Nobuyuki; Shimizu, Katsuhiro; Konoshima, Shigeru; Fujimoto, Kayoko; Kawashima, Hisato; Higashijima, Satoru

JT-60Uの非接触ダイバータプラズマにおいて、X点直上の強い放射領域からの9本のC IV発光線を同時測定し、その強度比を衝突放射モデルを用いて解析した。主量子数が4以下の励起準位は基底状態の$$mbox{C}^{3+}$$が電子衝突によって励起され、また主量子数が6以上の励起準位は$$mbox{C}^{4+}$$と電子の体積再結合によって生成される。またこの解析によって、励起過程では電子温度が10eV及び電子密度が$$5times10^{20}{m}^{-3}$$と、再結合過程では電子温度が3eVと求められたが、この電子温度の不一致の理由は不明である。これらのパラメータとC IV($$mbox{3s}^2mbox{S}-mbox{3p}^2mbox{P}$$)とC IV($$n=6-7$$)の絶対強度より、励起過程及び再結合過程による放射パワーを求めると、それぞれ総放射パワーの40%及び0.5%であった。$$mbox{C}^{3+}$$イオンは$$mbox{C}^{4+}$$の再結合と$$mbox{C}^{2+}$$の電離によってほぼ等しい割合で生成することも明らかになった。

WeThe intensity ratios of 9 C IV lines from the C IV emission peak were analyzed with a collisional-radiative model. From the analysis, it was found that the lowly-excited levels ($$n le 4$$) were predominantly populated by the excitation from the ground state of $$mbox{C}^{3+}$$ by an electron impact with an electron temperature of 10 eV and an electron density of $$5 times 10^{20} mbox{m}^{-3}$$, while the highly-excited levels ($$n ge 6$$) by the volume recombination of $$mbox{C}^{4+}$$ and an electron with an electron temperature of 3 eV. With these parameters and the absolute intensity of C IV ($$mbox{3s}^2mbox{S}-mbox{3p}^2mbox{P}$$) and C IV ($$n=6-7$$) lines, the radiation power due to the excitation and the recombination process were determined to be, respectively, 40% and 0.5% of the total radiation power measured by a bolometer. Further, it was found that the $$mbox{C}^{4+}$$ recombination flux was comparable to the $$mbox{C}^{2+}$$ ionization flux.

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