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Aligned defects behaviour of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin film on Si(100) substrate prepared by ion beam sputter deposition

イオンビームスパッタ蒸着法によりSi(100)基板上に生成した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜中の欠陥挙動

笹瀬 雅人*; 山口 憲司; 山本 博之; 社本 真一; 北條 喜一

Sasase, Masato*; Yamaguchi, Kenji; Yamamoto, Hiroyuki; Shamoto, Shinichi; Hojo, Kiichi

従来までの研究により、Si基板へのイオン照射による表面処理が$$beta$$鉄シリサイドの高品質な薄膜成長に有効であることを見いだしてきた。これらの研究の過程において、しばしば成膜後の膜中には基板界面に沿った形で欠陥集合体が観察される。観察された欠陥は成膜時の熱処理により拡散し集まったものと思われるが、これらの挙動が明らかになれば効果的な欠陥の抑制や除去方法が明らかとなるだけでなく薄膜としての品質向上にもつながることが期待される。本研究においては各種イオン照射条件にて作製した基板を、透過型電子顕微鏡を用いた薄膜の断面観察によって欠陥の生成及び変化に関する検討を行った。これらの結果から、イオン照射により生じる欠陥が、鉄シリサイド薄膜生成に及ぼす影響について議論する。

Defect formation behavior in the $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ on Si(100) has been discussed by using cross sectional transmission electron microscope.

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