NTD-Siに関する技術開発

Technology development of NTD-Si in JAEA

山本 和喜 ; 山下 清信; 佐川 尚司; 一色 正彦*

Yamamoto, Kazuyoshi; Yamashita, Kiyonobu; Sagawa, Hisashi; Isshiki, Masahiko*

中性子核変換ドーピング(Neutron Transmutation Doping: NTD)法で製造されるNTD-Siの需要が高まってきている。省エネ効果の高いとされるパワーデバイスの需要に応えるためには生産性を向上しなければならない。特に急速に成長するハイブリッド自動車等の分野では、高安全性と低コスト化を両立させるためにNTD-Siの採用が検討されていることから、高品位で大容量のNTD-Si半導体の(1)安定供給,(2)低価格化を進めるため、NTD-Siの生産性向上に関する技術開発を行う。そのためには1JRR-3(東海,20MW)の既存設備を用いた生産性の向上,2JMTR(大洗,50MW)改造による増産(照射設備新設),(3)大口径シリコンの均一照射技術の開発する必要がある。特に国内量産化に効果的である大口径シリコン半導体の照射技術を開発することで、高品位インバータの低コスト化を促進することができる。これら技術開発の現状について説明を行う。

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