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MBE法による各種面方位上への$$beta$$-FeSi$$_{2}$$ホモエピタキシャル成長

Homoepitaxy of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin films on various oriented substrates by MBE

大内 真二*; 若谷 一平*; 鵜殿 治彦*; 山田 洋一; 山本 博之; 江坂 文孝  

Ouchi, Shinji*; Wakaya, Ippei*; Udono, Haruhiko*; Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Esaka, Fumitaka

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$のPLの発光起源は未だ明確になっておらず、その要因の一つに$$beta$$-FeSi$$_{2}$$の発光がSi基板からの発光波長に近いため切り分けが困難な点がある。そこでわれわれはSi基板の代わりに$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶を基板として用い、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$のホモエピタキシャル成長を行っている。前回$$beta$$-FeSi$$_{2}$$基板表面の前処理方法を改善したことで、より清浄かつ平坦な表面を得ることに成功した。今回、この前処理を用いて、各種面方位の基板上にMBE法により、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$膜のホモエピタキシャル成長を行ったので報告する。清浄かつ平坦な各種基板表面に$$beta$$-FeSi$$_{2}$$膜を成長させたところ、各種面方位ともにRHEED像が成長後も変化せずストリーク状の明瞭なパターンが観測できた。$$beta$$(110)及び$$beta$$(111)基板上に100nmの$$beta$$-FeSi$$_{2}$$膜を成膜した後のRHEED像を観察した結果、いずれも成長前と成長後の格子間隔は変化せず、明瞭なストリークパターンが見られた。

Homoepitaxial formation of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin films on various oriented substrates has been discussed.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2007/09

開催都市

 :

札幌

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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