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希土類元素を添加した窒化ガリウムの放射線照射効果の検討

Irradiation effects on rare-earth doped GaN thin films

岡田 浩*; 中西 康夫*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 佐藤 真一郎; 大島 武

Okada, Hiroshi*; Nakanishi, Yasuo*; Wakahara, Akihiro*; Yoshida, Akira*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

イオン注入法によってEu等の希土類元素を添加したGaN系材料の光デバイスへの応用が検討されているが、この材料は電子線照射の影響を受けにくいことが報告されている。有機金属気相成長法によりサファイア上に成長したGaN薄膜に、イオン注入法によってEuを$$1sim5times10^{14}$$cm$$^{-2}$$添加した試料を作製し、380keVの陽子線を照射した後の発光特性の劣化を調べた。陽子線照射後のフォトルミネセンス(PL)発光強度を見ると、Euを添加していないGaNのバンド端発光強度は$$1times10^{16}$$cm$$^{-2}$$の照射後に1/3500に減少したが、Eu添加した試料ではEu$$^{3+}$$イオンに由来する波長620nm付近の発光強度の減少は1/5$$sim$$1/50程度と小さく、陽子線照射に対しても影響を受けにくいことがわかった。また、$$5times10^{15}$$cm$$^{-2}$$まで照射すると明らかな発光強度の減少が見られたが、このときに導入された非発光再結合中心の濃度は添加したEuの濃度とほぼ等しく、$$5times10^{19}$$cm$$^{-3}$$程度と見積もられた。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2007/09

開催都市

 :

札幌

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

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