Effects of irradiation temperature on degradation of electrical characteristics of InGaP solar cells

InGaP太陽電池の電気特性劣化における照射温度の影響

宮本 晴基; 佐藤 真一郎; 大島 武; 森岡 千晴*; 今泉 充*; 河野 勝泰*

Miyamoto, Haruki; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi; Morioka, Chiharu*; Imaizumi, Mitsuru*; Kawano, Katsuyasu*

室温又は低温環境下で、InGaP及びSi太陽電池に10MeV陽子線を110cmまで照射し、その電気特性の劣化を調べたところ、低温で照射した場合の開放電圧は、室温で照射した場合よりも高い保存率を示し、開放電圧についてはその逆の結果となった。また、照射後の開放電圧の温度係数は照射前に比べて大きくなったが、短絡電流の温度係数については照射前後で変化がなかった。1次元光デバイスシミュレータ(PC1D)を用いて解析を行ったところ、これら電気特性の劣化は少数キャリア拡散長の減少が主たる原因であることが判明した。

InGaP and Si solar cells are irradiated with 10 MeV protons at fluences up to cm at room temperature (RT) and low temperature (LT). Results show that the remaining factor Voc irradiated at LT is higher than that at RT, and vice versa for Isc. The temperature coefficient of Voc after irradiation is greater than that before irradiation, although the coefficients of Isc are the same before and after irradiation. This degradation of the output performance of these solar cells can be interpreted in terms of a decrease in minority-carrier diffusion length.