Giant tunnel magnetoresistance in codeposited fullerene-cobalt films in the low bias-voltage regime

共蒸着フラーレン-コバルト薄膜の低電圧領域における巨大トンネル磁気抵抗効果

境誠司; 菅井勇; 三谷誠司*; 高梨弘毅; 松本吉弘; 楢本洋*; Avramov, P.; 岡安悟 ; 前田佳均

Sakai, Seiji; Sugai, Isamu; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki; Matsumoto, Yoshihiro; Naramoto, Hiroshi*; Avramov, P.; Okayasu, Satoru; Maeda, Yoshihito

Magnetotransport properties in the low bias-voltage regime were investigated for co-deposited C $_{60}$ -Co films. A giant tunnel magnetoresistance (MR) ratio (/ $_{max}$ ) of 80%, which is the highest in ferromagnetic metal/organic molecule systems, was found at low temperatures. The observed bias-voltage dependence of the MR ratio is expressed by an unusual exponential form, suggesting that the MR ratio of nearly 100% can be realized in the low bias-voltage limit.

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Applied Physics Letters
巻	:	91
号	:	24
ページ数	:	p.242104_1 - 242104_3
発行年月	:	2007/12
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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.2822397 この論文を読む・探す
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登録番号 : AA20070842
抄録集掲載番号 : 36000524
論文投稿番号 : 3787

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