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イオン照射基板から得られる急峻なシリサイド薄膜界面の創製

Formation of atomically flat $$beta$$-FeSi$$_{2}$$/Si(100) interface using ion irradiated Si substrate

笹瀬 雅人*; 山本 博之; 山口 憲司; 社本 真一  

Sasase, Masato*; Yamamoto, Hiroyuki; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi

イオン照射による基板処理は表面に欠陥を生成することから、均一な薄膜成長を阻害すると考えられてきた。一方われわれの研究では、一定の条件でイオン照射した基板表面を用い、イオンビームスパッタ蒸着法により成膜を行うことで極めて高品質な膜が得られ、かつ急峻な界面となることをSi基板上への鉄シリサイド($$beta$$-FeSi$$_{2}$$)薄膜成長において見いだしてきた。イオン照射による表面処理は極めて簡易な手法であり、応用範囲は大きく広がることが期待される。本研究はこの知見をもとに、どのような条件でより品質の良い薄膜,界面が得られるかを明らかにすることを目的とした。断面TEM像に示すように基板処理条件が照射エネルギー1keV,照射量3$$times$$10$$^{19}$$ions/m$$^{2}$$において急峻な界面を持つ高品質薄膜が得られ、最適な処理条件となった。本研究において見られた良好な薄膜,界面の形成はイオン照射が結晶性及び表面構造を損なわない適度な欠陥層を作り、円滑な相互拡散を促したためと考えられる。

Beta iron disilicide thin film has been fabricated on Si substrate by means of ion beam sputter deposition method. By 1 keV irradiation at the fluence of 3$$times$$10$$^{19}$$ ions/m$$^{2}$$, epitaxially grown $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ film has been obtained on Si(100) subatrate with atomically smooth interface.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

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発表会議名

 :

2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2008/03

開催都市

 :

船橋

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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若狭湾エネルギー研究センター

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