C60-Co薄膜のトンネル磁気抵抗効果の組成依存性

Composition dependence of tunnel magnetoresistance in C60-Co thin films

境 誠司; 菅井 勇; 松本 吉弘; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 楢本 洋*; Avramov, P.; 岡安 悟  ; 前田 佳均

Sakai, Seiji; Sugai, Isamu; Matsumoto, Yoshihiro; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki; Naramoto, Hiroshi*; Avramov, P.; Okayasu, Satoru; Maeda, Yoshihito

これまでの研究で同時蒸着法C60-Co薄膜の磁気抵抗率が電圧とともに指数関数的に減少,増大する特異な振る舞いを見いだした。本研究では、薄膜中のCo濃度による磁気伝導特性の変化と微視的構造の対応から磁気抵抗効果の原因機構を議論する。Co濃度がx=8-17(C60Cox)の範囲で、グラニュラー薄膜で完全スピン分極の条件で生じ得る磁気抵抗率の上限(50%)を超える磁気抵抗効果が観測された。同組成領域でゼロ電圧付近の磁気抵抗率はxの減少とともに増大し、x=8の試料で極限値100%付近に達することが示された。巨大効果の原因として、Coナノ粒子/C60-Co化合物界面での著しいスピン偏極に加えて、磁気抵抗率の電圧依存性と関連する増長機構の関与が推察される。

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