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キクの側芽に対するイオンビーム及び$$gamma$$線照射により作出された変異体におけるキメラ構造の差異

Difference of chimera structure in mutants induced with ion beam and $$gamma$$ ray irradiation to lateral buds of chrysanthemum

山口 博康*; 清水 明美*; 長谷 純宏; 田中 淳; 出花 幸之介*; 森下 敏和*

Yamaguchi, Hiroyasu*; Shimizu, Akemi*; Hase, Yoshihiro; Tanaka, Atsushi; Degi, Konosuke*; Morishita, Toshikazu*

突然変異は細胞単位で起こるため、茎頂分裂組織に起きた突然変異はセクター状となる。$$gamma$$線を照射することにより茎頂分裂組織の始原細胞が死滅し、その後、周辺の少数の細胞が再分化して新たに不定芽が形成される内部摘芽と呼ばれる現象が、変異セクターを拡大する方法として報告されている。イオンビームはエネルギーが高く、内部摘芽に有効であると考え、キクの側芽を材料としてイオンビーム及び$$gamma$$線照射により得られた花色変異体のキメラ構造を比較した。キク"大平"の側芽にイオンビーム及び$$gamma$$線を照射し、培養下で2回の切り分けを行った後、花色変異体を選抜した。得られた花色変異体のキメラ性を確認するために根から植物体を再生した。両者が同じ花色変異を示した場合は、L1層からL3層までがひとつの変異細胞に由来すると考えられる。イオンビームではキメラでない変異体も得られたが、$$gamma$$線ではすべての変異体が周縁キメラであると考えられた。イオンビーム照射では茎頂分裂組織の層構造の破壊と少数の細胞からのその再構築が起こったのに対し、$$gamma$$線では層構造が壊されるような影響はなかったために周縁キメラとなったと考えられた。

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