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$$beta$$-FeSi$$_{2}$$ホモエピタキシャル成長初期における成膜条件の検討

Investigation of deposit condition in the first stage of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ homoepitaxial growth

若谷 一平*; 落合 城仁*; 鵜殿 治彦*; 永野 隆敏*; 山田 洋一; 山本 博之; 江坂 文孝  

Wakaya, Ippei*; Ochiai, Kunihito*; Udono, Haruhiko*; Nagano, Takatoshi*; Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Esaka, Fumitaka

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶基板上に良質なホモエピタキシャル膜を成長させることを目的とし、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$基板上の膜成長初期におけるFeとSiの組成ずれや基板表面処理の成膜への影響について検討した。Siのみ及びFeのみを蒸着した基板表面の原子間力顕微鏡(AFM)像の結果から、Siは粒状に凝集して成長しているのに対し、Feは穴が空いているがほぼ表面全体を覆っていることがわかる。さらに供給比Fe:Si=1:3.3及びFe:Si=1:1.2で同時蒸着成長させた場合は、組成がSiリッチ側にずれると粒状に成長し、Feリッチ側にずれると平坦にはなるが穴が目立ち、供給比が表面状態に大きく影響していることが明らかとなった。

Deposit condition in the first stage of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ homoepitaxial growth has been investigated.

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