Development of the atomic model of Sn and Xe ions and its application to studies of the EUV sources

Sn, Xeの原子モデルの構築とEUV光源の研究への応用

佐々木 明; 西原 功修*; 砂原 淳*; 古河 裕之*; 西川 亘*; 小池 文博*; 村田 真樹*

Sasaki, Akira; Nishihara, Katsunobu*; Sunahara, Atsushi*; Furukawa, Hiroyuki*; Nishikawa, Takeshi*; Koike, Fumihiro*; Murata, Masaki*

次世代半導体リソグラフィ用EUV光源の開発において重要な、シミュレーションによる最適化を目的とする、Sn, Xeの原子データの計算や、原子過程モデルの構築の方法について述べる。EUV光源の発光特性を明らかにするためには、Sn, Xeイオンの主要な共鳴線の正確な波長を理論,実験的に求めることと、及びこれらのイオンが持つ非常に多くの多電子,多重励起状態のうちのどのような状態が発光に寄与するかを知ることが必要である。本報告では、データベース技術を、Sn, Xeイオンの原子状態の電子配置の情報をもとに発光特性の評価に重要な状態の組を求めるために利用し、原子モデルを系統的に変化させた収束計算を行って、プラズマの温度,密度に対する、価数,輻射輸送係数の値を決定した結果を示す。

We present calculation of atomic data and development of atomic model of Sn and Xe ions, for the theoretical investigation and optimization of the EUV source for the next generation microlithography. In order to evaluate radiative properties of Sn and Xe ions, measurement of accurate wavelengths of strong emission lines as well as determination of dominant satellite channels from multiply- and inner-shell excited states are essential. We apply database technologies to choose a set of atomic levels, which has significant contribution to the emission. After iterative calculation, an appropriate atomic model which gives reasonable values of coefficients of radiative transfer is obtained.