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Low-temperature epitaxial growth of [Fe$$_{3}$$Si/SiGe]$$_{n}$$ (n = 1-2) multi-layered structures for spintronics application

スピントロニクス応用へ向けた[Fe$$_{3}$$Si/SiGe]$$_{n}$$(n=1-2)多層構造の低温エピタキシャル成長

佐道 泰造*; 上田 公二*; 安藤 裕一郎*; 熊野 守*; 鳴海 一雅; 前田 佳均; 宮尾 正信*

Sado, Taizo*; Ueda, Koji*; Ando, Yuichiro*; Kumano, Mamoru*; Narumi, Kazumasa; Maeda, Yoshihito; Miyao, Masanobu*

Ge基板上におけるFe$$_{3}$$Si層のエピタキシャル成長に関するわれわれの研究の最近の進展を報告する。低温(60$$sim$$200$$^{circ}$$C)で成長条件を最適化することにより、Ge基板上に原子レベルで平坦な界面を持つFe$$_{3}$$Si単結晶層が得られた。この積層構造は400$$^{circ}$$Cまでの熱処理プロセスでは劣化しないことを確認した。さらに、成長温度が400$$^{circ}$$Cのときには、Ge基板上にFe$$_{3}$$Si, FeGe, FeSiからなる混合層がエピタキシャル成長することを報告し、最後に、Fe$$_{3}$$Si/Ge/Fe$$_{3}$$Si/Ge積層構造のエピタキシャル成長を議論する。今回の結果は、SiGe関連スピントロニクスへの展開のための強力な手段となるであろう。

Our recent progresses in epitaxial growth of Fe$$_{3}$$Si on Ge substrates are reviewed. Single crystalline Fe$$_{3}$$Si layers with atomically flat interfaces were achieved on Ge(111) substrates by optimizing growth conditions at low temperatures (60$$sim$$200 $$^{circ}$$C). Thermal stability of it was guaranteed up to 400 $$^{circ}$$C. In addition, epitaxial growth of mixed layers composed of Fe$$_{3}$$Si, FeGe, and FeSi on Ge substrates at 400 $$^{circ}$$C is reported. Finally, epitaxial growth of Fe$$_{3}$$Si/Ge/Fe$$_{3}$$Si/Ge structures is discussed. These results will be a powerful tool to open up SiGe related spintronics.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

ECS Transactions

巻

 :

11

号

 :

6

ページ数

 :

p.473 - 479

発行年月

 :

2007/00

発表会議名

 :

212th Electrochemical Society Meeting

開催年月

 :

2007/10

開催都市

 :

Washington, D.C.

開催国

 :

U.S.A.

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1149/1.2778404

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

九州大学; 京都大学

Access

 :

- Accesses

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 :

Altmetrics

 :

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