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論文

Analysis of bystander effect induced by cell membrane response in glioma cells

和田 成一*; 安藤 達彦*; 渡辺 彩*; 柿崎 竹彦*; 夏堀 雅宏*; 舟山 知夫; 坂下 哲哉; 横田 裕一郎; 小林 泰彦

JAEA-Review 2014-050, JAEA Takasaki Annual Report 2013, P. 79, 2015/03

これまでのマイクロビームを用いた細胞の局部照射実験でバイスタンダー効果の誘導には細胞核の損傷応答だけでなく細胞膜応答も重要であり、細胞膜応答分子であるスフィンゴミエリナーゼがその応答に関与することが明らかになってきた。しかし、スフィンゴミエリナーゼがどのようにして細胞間情報伝達に関与しているかはまだ明らかになっていない。そこで本研究では、照射後に細胞外に分泌されるスフィンゴミエリナーゼが、細胞から放出され、細胞間情報伝達に関与する膜小胞であるエクソソーム内に含有されているかを解析した。照射したグリオーマ細胞をから細胞外に放出されたエクソソーム中にスフィンゴミエリナーゼが含まれるか解析するため、培養上清からExo Quickによるエクソソームの精製を行い、抗スフィンゴミエリナーゼ抗体を用いたウエスタンブロットを行った。その結果、照射によって細胞外に分泌されたスフィンゴミエリナーゼは主にエクソソームの形態で細胞外に分泌されることが明らかになった。この結果からバイスタンダー効果においてスフィンゴミエリナーゼ自身がバイスタンダー因子としてシグナル伝達に関与することが示唆された。

論文

低減容処理灰化樹脂の均質・均一固化体製作技術調査

大谷 洋史; 水井 宏之; 東浦 則和; 坂東 文夫*; 遠藤 伸之*; 山岸 隆一郎*; 久米 恭*

平成25年度公益財団法人若狭湾エネルギー研究センター研究年報,16, P. 66, 2014/10

若狭湾エネルギー研究センターは、「ふげん」の受託研究として、イオン交換樹脂を減容安定化処理した後の残渣を用いたセメント混練固化に関する手法の調査及び試験を行い、以下の結果を得た。(1)粉砕による脱気処理を低減容処理灰化樹脂に施した上でセメント混練を行い、膨張の発生が無いことを確認するとともに、セメント混練固化体について各種試験を行い、均質・均一なセメント固化体が得られること及び強度条件も満足することを確認した。(2)脱気処理した低減容処理灰化樹脂を用いたセメント混練物に、化学混和剤(減水剤)を添加することで、流動性が25%以上増すことを確認した。(3)化学混和剤を添加したセメント混練固化体について各種試験を行い、均質・均一なセメント固化体が得られ、強度条件も満足することを確認した。(4)低減容処理灰化樹脂及びセメント混練固化体からの溶出試験を行い、各々、脱気処理及び化学混和剤添加による影響はないこと、セメント混練固化することによって溶出が抑制されることを確認した。以上の結果から、低減容処理灰化樹脂に対して粉砕による脱気処理及び化学混和剤の適用したセメント混練固化体は、廃棄体の技術要件を満たす見通しが得られた。

論文

Axial orientation of molecular-beam-epitaxy-grown Fe$$_{3}$$Si/Ge hybrid structures and its degradation

前田 佳均; 上西 隆文*; 鳴海 一雅; 安藤 裕一郎*; 上田 公二*; 熊野 守*; 佐道 泰造*; 宮尾 正信*

Applied Physics Letters, 91(17), p.171910_1 - 171910_3, 2007/10

 被引用回数:31 パーセンタイル:74.76(Physics, Applied)

分子線エピタキシャル(MBE)成長させたFe$$_{3}$$Si(111)/Ge(111)ハイブリッド構造の軸配向性をラザフォード後方散乱法によって調べた。300$$^{circ}$$Cより高い温度でのMBE成長においては、Fe原子とGe原子の相互拡散によって組成が変化し、Fe$$_{3}$$Si中にFeGeがエピタキシャル成長することを確認した。また、低温($$<$$200$$^{circ}$$C)でのMBE成長では、軸配向性に優れ($$chi$$$$_{min}$$=2.2%)、十分に規則正しいDO3構造を持ったFe$$_{3}$$Siが得られた。化学量論的組成からずれたFe$$_{3}$$Siについては、400$$^{circ}$$Cより高い温度でのポストアニールにより、組成の変化と軸配向性の劣化が起こった。本論文では、併せてFe$$_{3}$$Si(111)/Ge(111)ハイブリッド構造の熱的安定性と界面の質に対する化学量論組成の重要性を議論する。

論文

Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic silicide on Ge substrates for spin-transistor application

安藤 裕一郎*; 上田 公二*; 熊野 守*; 佐道 泰造*; 鳴海 一雅; 前田 佳均; 宮尾 正信*

信学技報, 107(111), p.221 - 224, 2007/06

スピン偏極強磁性体シリサイドDO3型Fe$$_{3}$$Siは、格子定数(0.565nm)がGeの格子定数(0.565nm)とほぼ一致しており、Ge基板上におけるFe$$_{3}$$Si層の高品位エピタキシャル成長が可能と期待される。本研究では、分子線エピタキシャル成長法を用いて、Fe/Si組成比及び成長温度がFe$$_{3}$$Si/Geの結晶性に与える効果を系統的に検討した。その結果、Fe/Si組成比を化学量論比(Fe:Si=3:1)とし、成長温度を低温化($$<$$300$$^{circ}$$C)することで、結晶性が高く(ラザフォード後方散乱法による最小散乱収率$$chi$$$$_{min}$$: 2$$sim$$3%)かつ界面が原子レベルで平坦なFe$$_{3}$$Si/Ge積層構造を実現した。さらに、この積層構造は、400$$^{circ}$$Cまでの熱処理プロセスでは劣化しないことを確認した。

論文

Low-temperature epitaxial growth of [Fe$$_{3}$$Si/SiGe]$$_{n}$$ (n = 1-2) multi-layered structures for spintronics application

佐道 泰造*; 上田 公二*; 安藤 裕一郎*; 熊野 守*; 鳴海 一雅; 前田 佳均; 宮尾 正信*

ECS Transactions, 11(6), p.473 - 479, 2007/00

Ge基板上におけるFe$$_{3}$$Si層のエピタキシャル成長に関するわれわれの研究の最近の進展を報告する。低温(60$$sim$$200$$^{circ}$$C)で成長条件を最適化することにより、Ge基板上に原子レベルで平坦な界面を持つFe$$_{3}$$Si単結晶層が得られた。この積層構造は400$$^{circ}$$Cまでの熱処理プロセスでは劣化しないことを確認した。さらに、成長温度が400$$^{circ}$$Cのときには、Ge基板上にFe$$_{3}$$Si, FeGe, FeSiからなる混合層がエピタキシャル成長することを報告し、最後に、Fe$$_{3}$$Si/Ge/Fe$$_{3}$$Si/Ge積層構造のエピタキシャル成長を議論する。今回の結果は、SiGe関連スピントロニクスへの展開のための強力な手段となるであろう。

論文

Effect of Fe/Si ratio on epitaxial growth of Fe$$_{3}$$Si on Ge substrate

熊野 守*; 安藤 裕一郎*; 上田 公二*; 佐道 泰造*; 鳴海 一雅; 前田 佳均; 宮尾 正信*

ECS Transactions, 11(6), p.481 - 485, 2007/00

Ge基板上でのFe$$_{3}$$Siの分子線エピタキシャル成長(MBE)に対するFe/Si組成比の効果を、広い範囲の成長温度(60$$sim$$300$$^{circ}$$C)で調べた。X線回折による観測結果より、Fe$$_{3}$$Si層は、Fe/Si組成比が化学量論比(Fe:Si=3:1)であっても非化学量論比(Fe:Si=4:1)であっても、成長温度が60$$sim$$200$$^{circ}$$CでGe(111)基板上にエピタキシャル成長することが明らかになった。ラザフォード後方散乱法による観測結果からは、Fe$$_{3}$$Si/Ge積層構造の界面における原子レベルのFeとGeのミキシングが、成長温度300$$^{circ}$$Cで始まることがわかった。組成比が化学量論比(Fe:Si=3:1)のときは、非化学量論比(Fe:Si=4:1)のときに比べてFe$$_{3}$$Siの結晶性が著しく向上し、このとき$$chi$$$$_{min}$$の値は広い成長温度範囲(60$$sim$$200$$^{circ}$$C)で小さくなった。透過型電子顕微鏡による観測の結果、成長温度を低く($$sim$$200$$^{circ}$$C)して化学量論比をとるときに、原子レベルで平坦な界面を持つ高品位のDO3型Fe$$_{3}$$Si/Ge積層構造を実現できることが明らかになった。

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