1/2-filledからずれた-ETHg(=Br,Cl)における不整合反強磁性状態

Incommensurate antiferromagnetic state in off-1/2-filled system -ETHg(=Br,Cl)

妹尾 仁嗣; 吉岡 英生*

Seo, Hitoshi; Yoshioka, Hideo*

不整合な組成を持つ2次元分子性導体-ETHg(=Br,Cl)は、1/2-filledモット転移系-ETに対して10-20%ホールドープされた物質として注目されている。高圧域で絶縁体相が現れるが、その起源に関してはわれわれが以前提唱した、「不整合モット絶縁体」の可能性が議論されている。本研究では、アニオンによる不整合ポテンシャルの元での型ハバードモデルを考慮し、平均場近似により基底状態を調べた。その結果、アニオンポテンシャルとオンサイトクーロン斥力が大きい領域で不整合な電荷・スピン秩序を持つ絶縁体状態が存在することを見いだした。

Two-dimensional molecular conductors -ETHg(=Br,Cl) have incommensurate composition, which are attracting interest as a system with 10-20% hole-doped compared with -ET. At high presure, the systems show metal-insulator transition, where the possibility of "incommensurate Mott insulator" is discussed. In this work, we investigate the -type Hubbard model including the incommensurate potential due to the anions, within mean-field approximation. We find that when the anion potential and the on-site Coulomb repulsion exceed critical values, an insulating state with incommensurate charge and spin ordering is stabilized.