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EUV light source by high power laser

高出力レーザーによるEUV光源

井澤 靖和*; 西原 功修*; 田沼 肇*; 佐々木 明; 村上 匡且*; 砂原 淳*; 西村 博明*; 藤岡 慎介*; 青田 達也*; 島田 義則*; 山浦 道照*; 中塚 正大*; 藤田 尚徳*; 椿本 孝治*; 吉田 英次*; 宮永 憲明*; 三間 圀興*

Izawa, Yasukazu*; Nishihara, Katsunobu*; Tanuma, Hajime*; Sasaki, Akira; Murakami, Masakatsu*; Sunahara, Atsushi*; Nishimura, Hiroaki*; Fujioka, Shinsuke*; Aota, Tatsuya*; Shimada, Yoshinori*; Yamaura, Michiteru*; Nakatsuka, Masahiro*; Fujita, Hisanori*; Tsubakimoto, Koji*; Yoshida, Hidetsugu*; Miyanaga, Noriaki*; Mima, Kunioki*

高出力EUV光源システムの開発のために、レーザー生成Snプラズマの理論的,実験的なデータベースの構築を行った。プラズマの基礎過程の理解のもとに、デブリ粒子の発生を抑止しつつ、高効率で高出力の発光を得るための、最適なレーザー及びプラズマの条件が明らかになった。先進的なターゲット製造技術や、高出力レーザーの技術の開発についても併せて報告する。

In the development of a high power EUV source used in the EUV lithography system, we have been constructed EUV database of laser-produced tin plasma by the theoretical and experimental studies. On the basis of our understanding, the optimum conditions of lasers and plasmas were clarified, and we proposed the guidelines of laser plasma to obtain clean, efficient and high power EUV source for the practical EUV lithography system. In parallel to such studies, novel targets and high power laser system to generate the optimized EUV source plasma have been developed.

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パーセンタイル:93.57

分野:Physics, Fluids & Plasmas

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