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荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化

Photoconductivity variations of hydrogenated amorphous silicon by charged particles

佐藤 真一郎; 齋 均*; 今泉 充*; 島崎 一紀*; 大島 武

Sato, Shinichiro; Sai, Hitoshi*; Imaizumi, Mitsuru*; Shimazaki, Kazunori*; Oshima, Takeshi

荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜の光伝導度変化について調べた。プラズマ化学気相成長(PECVD)法によりガラス基板上に製膜したa-Si:H薄膜(300nmt)に、0.10, 1.0, 10MeV H$$^+$$を最大10$$^{15}$$/cm$$^2$$程度まで室温照射し、そのときの光伝導度の変化を照射チャンバー内で測定した。その結果、いずれの条件においても光伝導度はH$$^+$$照射量の増大とともにいったん上昇し、その後減少するという特異な現象が観察された。一方、2.8MeV Si$$^{2+}$$を室温照射した場合には増加は見られなかった。また、試料電極間に5.00kV/cmのバイアス電圧を印加し、暗伝導度(暗電流)をモニターしながら10MeV H$$^+$$照射を行うと、照射中に暗伝導度は急激に増大した。さらに、照射前と比べて5桁程度高い暗伝導度を示した時点で照射を止めても(3$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^2$$)、この高い暗伝導度はその後も長時間にわたって持続した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会第64回年次大会

開催年月

 :

2009/03

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

 :

宇宙航空研究開発機構

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