水素化アモルファスシリコンの放射線誘起光伝導

Radiation induced photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon

佐藤 真一郎; 齋 均*; 今泉 充*; 島崎 一紀*; 近藤 道雄*; 大島 武

Sato, Shinichiro; Sai, Hitoshi*; Imaizumi, Mitsuru*; Shimazaki, Kazunori*; Kondo, Michio*; Oshima, Takeshi

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)は、宇宙用太陽電池といった放射線環境下での光デバイスとしての応用が期待されているものの、その放射線照射効果についてはあまり研究されていない。そこで、本研究では放射線照射によるa-Si:H薄膜の光伝導度変化について調べた。プラズマ化学気相成長(PECVD)法によりガラス基板上に製膜したa-Si:H薄膜に、0.10又は10MeVの陽子線を最大10/cm程度まで室温照射し、そのときの光伝導度の変化を照射チャンバー内でその場測定したところ、いずれの条件においても光伝導度は陽子線照射量の増大とともにいったん上昇し、その後減少した。この異常な変化は試料に対する光安定化処理の有無とは無関係に現れた。また、光安定化処理を施した試料の場合、10/cm付近での光伝導度の値が光安定化処理前の値を明らかに超えていることから、この異常変化は光生成欠陥が熱回復したことによるものではないと推測される。

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