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JAEAフォトカソードDC電子銃のビームライン構築

Development status of beam line of photocathode DC gun at JAEA

飯島 北斗; 永井 良治; 西森 信行; 羽島 良一; 本田 洋介*; 武藤 俊哉*

Iijima, Hokuto; Nagai, Ryoji; Nishimori, Nobuyuki; Hajima, Ryoichi; Honda, Yosuke*; Muto, Toshiya*

われわれはエネルギー回収型加速器を利用した次世代放射光源(5GeV-ERL)の開発を進めている。この光源での電子ビームは電流値100mA,エミッタンス0.1mm$$cdot$$mradが要求されている。これを実現する電子銃としてNEA-GaAsを光陰極とするDC電子銃を採用した。現在、日本原子力研究開発機構(JAEA)で、250kV-50mAの電子銃と、カソードの性能評価を目的としたビーム計測を行うためのビームラインの開発を行っている。ビームラインは全長約5mで、エミッタンス測定のためにダブルスリットスキャンチェンバーを設置している。また、ビームプロファイルモニタとしてYAGの結晶(厚さ100$$mu$$m)を用いたスクリーンを使用している。ビームラインの終端には90度偏向電磁石を設置しており、この直後に水冷型ビームダンプを設置している。低エミッタンスを実現するためには電子ビームの整形が必要となる。この手法はカソードの時間応答性が早いことが前提となる。このため時間応答性を評価することが必要で、ビームラインにはバンチ長計測のための偏向空洞を設置している。

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