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CPP素子構造を有するC$$_{60}$$-Co薄膜の磁気伝導特性

Magnetotransport properties of C$$_{60}$$-Co thin films with current-perpendicular-to-plane devise structures

境 誠司; 松本 吉弘; 菅井 勇*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 前田 佳均

Sakai, Seiji; Matsumoto, Yoshihiro; Sugai, Isamu*; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki; Maeda, Yoshihito

本研究ではグラニュラーC$$_{60}$$-Co薄膜のTMR効果メカニズムの追究を目的に、C$$_{60}$$-Co薄膜(100$$sim$$300nm厚)を銀電極層でサンドイッチした低抵抗なCPP(current-perpendicular-to-plane)素子を作製し、ゼロ電圧付近までの磁気伝導特性の評価を行った。本研究の結果、グラニュラーC$$_{60}$$-Co薄膜のTMR効果が、素子構造や膜面に対する伝導方向に依存せず等方的に生じる物質固有の効果であることが確かめられ、スピン分極率の効果による上限値(MR=50%)を越えるTMR効果の発現と指数関数的MR-V依存性が薄膜中のCoナノ粒子のクーロン閉塞と関連する同一のメカニズムによることが明らかになった。講演で詳細な結果を報告する。

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