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荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化,2

Photoconductivity variations of hydrogenated amorphous silicon induced by charged particles, 2

佐藤 真一郎; 齋 均*; 今泉 充*; 島崎 一紀*; 近藤 道雄*; 大島 武

Sato, Shinichiro; Sai, Hitoshi*; Imaizumi, Mitsuru*; Shimazaki, Kazunori*; Kondo, Michio*; Oshima, Takeshi

荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜の光伝導度変化について調べた。プラズマ化学気相成長(PVCVD)法によりガラス基板上に製膜したa-Si:H薄膜(300nmt)に、10MeV陽子線を1.4$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^2$$又は5.0$$times$$10$$^{14}$$/cm$$^2$$照射し、照射前後での光伝導度の温度依存性を測定した。すると、1.4$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^2$$照射した試料では照射前よりも光伝導度が大きくしたものの、30から60$$^circ$$Cの範囲の熱処理でこの上昇は急激に消失した。光伝導度の上昇が消失した後の温度特性は照射前のそれとほぼ同様の振る舞いを見せたことから、1.4$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^2$$の照射量では実質的な放射線劣化は生じていないものと考えられる。一方、5.0$$times$$10$$^{14}$$/cm$$^2$$照射した試料では、光伝導度は照射前よりも大きく減少し、60$$^circ$$C以上で明らかな照射劣化の熱回復が確認された。これより、a-Si:Hは60$$^circ$$Cの熱処理で照射欠陥が回復することが明らかとなった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

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号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会2009年秋季大会(物性)

開催年月

 :

2009/09

開催都市

 :

熊本

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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宇宙航空研究開発機構

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