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Interface analysis of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin films on ion irradiated Si with atomic resolution by scanning transmission electron microscope

イオン照射したSi基板上に成長させた$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の走査透過型電子顕微鏡による原子分解能の界面評価

笹瀬 雅人*; 山本 博之

Sasase, Masato*; Yamamoto, Hiroyuki

イオン照射した表面は欠陥を多く含むことから、これを基板として用いることは高配向な薄膜を成長させるためには適当でないと考えられてきた。しかしながら、われわれはこれまで1keV程度のごく低エネルギーのイオンを照射したSi基板を用い、Feのスパッタ蒸着により界面の急峻で高配向な$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜が得られることを明らかにしてきた。この要因を明らかにするために、本研究では走査透過型電子顕微鏡を用い、この条件で作製した薄膜界面における構造及び化学状態変化を原子分解能で解析を行った。さらにより高いエネルギーで照射したSi基板により成膜した試料と比較し、界面近傍における化学状態の差異について議論した。

Interface analysis of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin films on ion irradiated Si has been attempted by scanning transmission electron microscope with atomic resolution.

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