巨大トンネル磁気抵抗効果に影響を及ぼすC
-Co化合物の電子/スピン状態
Electronic and spin states analysis of C
-Co compounds affecting giant tunneling magnetoresistance effect
松本 吉弘; 境 誠司; 圓谷 志郎; 中川 剛志*; 高木 康多*; 横山 利彦*; 永松 伸一*; 島田 敏宏*; 楢本 洋*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 前田 佳均
Matsumoto, Yoshihiro; Sakai, Seiji; Entani, Shiro; Nakagawa, Takeshi*; Takagi, Yasumasa*; Yokoyama, Toshihiko*; Nagamatsu, Shinichi*; Shimada, Toshihiro*; Naramoto, Hiroshi*; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki; Maeda, Yoshihito
C
-Co化合物中にCoナノ粒子が分散するC
-Co共蒸着薄膜において、巨大トンネル磁気抵抗(TMR)効果の発現が明らかとなっている。C
-Co化合物中の
-d混成軌道に由来する局在スピンの働きによりCoナノ粒子間をトンネルする伝導電子のスピン偏極率が著しく増大することが効果発現の原因であると示唆されていることから、本研究ではC
-Co化合物の電子/スピン状態の分光解析を行った。実験は組成の異なるC
-Co化合物(C
Co
)を用いて行った。結果としてC
Co
の試料では吸収スペクトル中に幾つかの構造が見て取れたが、飽和組成(C
Co
)に近づくにつれてはっきりとしなくなる。光電子分光測定などから、化合物中のCo原子の価数が組成に応じてわずかながら減少していると考えられるため、XASスペクトルで観測された変化は
-d混成軌道の変化を反映しているものと推察される。また、X線磁気円二色性分光により組成に応じた局在スピン状態の変化を精査し、TMR効果に与える影響を検討した。
no abstracts in English
- 登録番号 : BB20091584
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