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希土類元素をイオン注入したAlGaNにおける注入損傷の光学的特性評価

Damage study of rare-earth ion implanted AlGaN by optical properties evaluation

岡田 浩*; Park, J.*; 秦 貴幸*; 若原 昭浩*; 古川 雄三*; 佐藤 真一郎; 大島 武

Okada, Hiroshi*; Park, J.*; Hata, Takayuki*; Wakahara, Akihiro*; Furukawa, Yuzo*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

窒化物半導体などのワイドバンドギャップ半導体に添加した希土類元素は、発光中心として有用な発光特性を示す。本研究では、希土類元素の注入条件と試料の結晶性、及び発光特性を総合的に評価するとともに、注入損傷が発光特性に及ぼす影響との関連性を検討した。有機金属気相成長法によってサファイア(0001)基板上に成長したAl$$_x$$Ga$$_{1-x}$$N($$x$$=0.35)薄膜に、200keVのTbイオンを1.0$$times$$10$$^{12}$$$$sim$$2.8$$times$$10$$^{16}$$cm$$^{-2}$$のドーズ量で注入し、注入損傷を回復させるためにN$$_2$$:NH$$_3=$$2:1, 1Torrの雰囲気下で1100$$^{circ}$$C,120秒の熱処理を行い、カソードルミネッセンス法によりTbの$$^{5}$$D$$_{4}$$$$rightarrow$$$$^{7}$$F$$_{6}$$遷移に起因する発光ピークを測定した。発光ピークの積分強度のTbドーズ量依存性を調べたところ、1$$times$$10$$^{13}$$cm$$^{-2}$$以下のドーズ量の低い試料では、積分強度は注入量の増加とともに強くなったが、1$$times$$10$$^{13}$$cm$$^{-2}$$以上の試料に対しては積分強度が飽和する傾向が見られることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第4回高崎量子応用研究シンポジウム

開催年月

 :

2009/10

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

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