単一の重イオンが6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流の位置依存性

Spatial dependence of transient currents induced in 6H-SiC MOSFETs by single heavy ion

小野田 忍; 岩本 直也; 牧野 高紘; 児島 一聡*; 野崎 眞次*; 大島 武

Onoda, Shinobu; Iwamoto, Naoya; Makino, Takahiro; Kojima, Kazutoshi*; Nozaki, Shinji*; Oshima, Takeshi

耐放射線性炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス開発の一環として、単一の重イオンが六方晶(6H)-SiC MOSFET(Metal Oxyide Semiconductor Field Effect Transistor)に入射した際、ドレイン,ソース,ゲート電極に誘起される過渡電流の計測を行った。イオンがMOSFETの信号引き出し用電極であるボンディングパットやドレインに入射すると、電極-酸化膜-半導体(Metal-Oxyide-Semiconductor)から成るMOSキャパシタやダイオード起因の過渡電流が観測されることがわかった。さらに、MOSFETが、ソース(n)-エピタキシャル層(p)-ドレイン(n)から成る構成を持つために、npnバイポーラトランジスタとなり、過渡電流に影響を及ぼすことが見いだされた。

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