超短パルスレーザーによる固体電子励起確率の方向依存性

Direction dependence of electron excitation in dielectrics by short pulse laser

乙部 智仁

Otobe, Tomohito

超短パルスレーザーによるダイアモンドの電子励起過程を時間依存Khon-Sham方程式を実時間実空間法でシミュレートした。その結果レーザーの偏光方向を結晶方向に対して回転していくと、電子励起の確率が最大で2割程度変化し、その原因がブロッホ位相空間におけるバンド間遷移の起こる領域が偏光方向により変化することであることが明らかになった。またこれはレーザーによる結晶構造の局所的プローブや固体内電子の励起プロセスのコントロールの可能性を示唆する結果である。

I solve the time-dependent Khon-Sham equation by real-time and -space method to simulate the electron excitation by intense short pulse laser. I found that the electron excitation possibility is changed as rotating the direction of polarization to the crystal. My simulation indicates that this change of electron excitation probability is depends on the change of the region of electron excitation in Bloch phase space. This result indicates also the probe of small region of the crystalline solid and control of electron excitation process by laser field.